Sep 01, 2009
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フォーカルポイントコンピューターは10日、iPhone 4用クレジットカードリーダー付きケース「mophie Marketplace for iPhone 4」の販売を開始したと発表した。同ソリューションの利用にあたっては、三菱UFJニコスとの加盟店契約および、フライトシステムコンサルティングとのライセンス契約が必要となる。
ペイメント・マイスターのデモ動画
同ソリューションは、米mophie製のクレジットカードリーダ付き専用ケース「Marketplace」のOEM供給を受け、フライトシステムコンサルティングが開発した国内専用のクレジットカード決済アプリケーション「ペイメント・マイスター」を組み合わせ、三菱UFJニコスの「ECカード決済サービス」に接続する仕組みとなっている。主に宅配業務、訪問販売員など外出先で代金回収を必要とする企業の利用を想定しているという。
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ソフトバンクモバイルは、ソフトバンク3G携帯電話の新製品「SoftBank 004SH PJ」(シャープ製)を3月11日より発売する。004SH PJは、女性に人気のブランド「PAUL & JOE」とのコラボレーションしたモデル。
約3.4インチフルワイドQVGA(854×480ドット)ディスプレイを搭載した折り畳み型で、端末表面にPAUL & JOEのモチーフのひとつである猫柄をあしらった。機能面では、約960万画素CCDカメラ、ワンセグ、おサイフケータイ(S!FeliCa)、GPS、Bluetooth、ケータイWi-Fi、赤外線通信(IrDA)などに対応。通信面では国際ローミングサービス「世界対応ケータイ」、3Gハイスピード(7.2Mbps)をサポートする。
[マイコミジャーナル]
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※この記事は10日(木)現在までの情報をまとめています。
その後の状況については、15日(火)以降に更新する予定です。
先週のASRockとBIOSTARに続き、今週はMSIとGIGABYTEのSandy Bridgeマザーの販売が再開される見込みだ。
【拡大画像や他の画像】
MSIの製品は「P67A-GD65 V2」「P67A-GD55 V2」「P67A-C43 V2」「H67MA-E45 V2」の4種類で、11日(金)販売予定。こちらは既にパソコンショップ アークに入荷しており、販売再開を待つだけという状態。
GIGABYTEの製品は「GA-H67A-UD3H-B3」「GA-H67MA-D2H-B3」「GA-H67MA-UD2H-B3」の3種類で12日(土)販売予定。こちらはツクモパソコン本店が予告している。
いずれも3Gbps SATAのエラッタが修正されたB3リビジョンのIntel 6シリーズチップセットを搭載。製品名も1月の発売当初のものから若干変わっており、GIGABYTEの製品は「-B3」が、MSIの製品は「V2」が、それぞれ末尾に追加されている。
なお、両社は既存製品のユーザーに向け交換による対応も実施中だ(GIGABYTE製品は代理店のCFD販売が受け付け)。
【AKIBA PC Hotline!】
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富士通および富士通研究所は、冷却不要の直接変調レーザーで40Gbpsの光伝送に成功したことを発表した。
現在、ネットワークを流れるデータ量が急速に増大しており、その増大するデータ伝送量に対応するため、データセンター内では伝送速度10Gbpsを超える高速光通信の導入が進められようとしている。
伝送速度の高速化と併せて環境負荷低減のために光通信の低消費電力化が求められている。大量の情報を光に乗せて高速に伝送する光通信では、電気信号を光信号に変換するために、光強度を変調できる光源が必要だが、変調方式には、半導体レーザーへの注入電流を変調する直接変調方式と、半導体レーザーの外部に光変調器を用意して変調を行う外部変調方式の大きく2種類があり、主に低速・短距離用では直接変調方式、高速・長距離用では外部変調方式がそれぞれ用いられている。
現在、伝送速度10Gbpsまでは、温度調節素子を必要としない、冷却不要の小型・低消費電力の直接変調レーザーが実用化されているが、10Gbpsを超える高速伝送では、10km程度までの短距離用でも外部変調方式の電界吸収型変調器集積レーザーが用いられている。しかし、電界吸収型変調器集積レーザーを安定して動作させるには、温度調節素子によって冷却する必要があり、この素子は消費電力の半分以上を占めるため、消費電力の低減が課題になっていた。
今回、富士通らは、冷却不要で40Gbps動作する波長1.3μm帯の直接変調レーザーを開発、従来の40Gbpsの伝送光源において消費電力の半分以上を占めていた温度調節素子を不要にした。
具体的には、半導体レーザーのレーザー光を生み出す活性層に、高速動作に有利なAlGaInAs系の多重量子井戸活性層を用い、光の導波路構造として高速化に適した低容量の高抵抗埋め込み構造を採用した。
また、活性層の長さを100μmと短くし、その前後に反射鏡を集積した共振器構造を新たに開発。直接変調レーザーの高速化には、活性層領域の長さを短くすることが有効だが、従来のレーザー構造では、活性層領域の長さを短くすると、駆動電流が増大する問題があったが、今回、短い活性層領域の前後に長さ100μmの高反射率反射鏡(後側)と長さ50μmの低反射率反射鏡(前側)を集積し、光を活性層へフィードバックすることで、高速変調に必要な駆動電流を低減。冷却が不要になることから、温度調節素子を不要とした。
さらに、同技術を用い、25℃から70℃までの動作温度で、40Gbps信号光のシングルモード光ファイバ5km伝送に成功したという。
この結果、今回開発した技術を用いることで、現在の40Gbps伝送光源に用いられている温度調節素子が不要となり、従来と比較して消費電力を2分の1以下に削減することが可能となるほか、部品点数削減による低コスト化を実現できるようになった。
なお、富士通らは今後、さらなる高温動作化や伝送距離の長距離化に向けて、デバイス構造や作製プロセスの改良を進め、実用化に向けた研究開発を推進していく方針としている。
[マイコミジャーナル]
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